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在存儲芯片的生產(chǎn)制造過程中，需要進(jìn)行各種可靠性試驗，其中高低溫沖擊試驗就是一項重要的測試項目，下面，我們結(jié)合實(shí)際測試要求，來看看存儲芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗是怎么做的。
存儲芯片高低溫?zé)釠_擊試驗流程：
試驗設(shè)備：環(huán)儀儀器 存儲芯片高低溫?zé)釠_擊試驗箱
試驗條件：
高溫80℃：30min
低溫-40℃：30min
轉(zhuǎn)換時間：高溫和低溫變化在5min內(nèi)完成
試驗評價方法：
1.在(新 MODEL)新產(chǎn)品開發(fā)階段(DVT)，實(shí)施 100CYCLE 試驗之后，決定下期階段進(jìn)行可能與否。
2.(量產(chǎn) MODEL)市場及工程發(fā)生品質(zhì)問題時，生產(chǎn)技術(shù)科內(nèi)部選定另外 MODEL實(shí)施，試驗 CYCLE 基準(zhǔn)在1次100CYCLE 試驗實(shí)施之后，確認(rèn)無異常時，進(jìn)行2 次 100 CYCLE 延長試驗
3.在試驗之前，檢查樣品的表面狀態(tài)。
設(shè)備參數(shù)：
以上就是存儲芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗要求，如有試驗疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
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